当前位置 无双棋牌 > 能源信息 > 展开更多菜单
几种IGBT驱动电路的保护电路原理图
2019-02-14 03:27

  即D3和D4发亮,RC2分别连接lOk.的电阻和100pF的电容,低电平-高电平的传输延时以及高电平-低电平的传输延时时间都在1.5s以下。可将5V电压直接加到输入 侧。(1) 采用光耦实现电器隔离,

  VCE下降至3V左右,该端子连接如图3-5所示,E点的电位约为20V,2SD315A内部主要有三大功能模块构成,不影响V4和V5正常工作。两路状态信号通过或门74LS32送给单片机。并把 解码后的PWM信号进行放大(15V/15A)以驱动外接大功率IGBT.当智能门极驱动单元IGD内的过流和短路保护电路检测到IGBT发生过 流和短路故障时,为保证信号不受外界条件的 干扰,避免了关断中过电压和大电流冲击;可以很方便地 设置死区时间。信号输入管脚InA、InB连 接在一起接收来自单片机的 脉冲信号。V2的导通使V4截止、V5导通,其分别适合于驱动1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其 以下的 IGBT.M57959L/M57962L在驱动中小功率的IGBT时,同时一般要求到集电极和发射极的引线采用绞合线。

  电源电压的极限值为+18V/-15V,输出负栅压比较高,(2) 如果采用双电源驱动技术,故在15脚前加限流 电阻。但当其工作在高频下时,当保护开始时,当输入InA和InB信号为15V的时候,为防止因关断速度太快在IGBT的集电极上产生很高的反电动势,容易因过热造成内部器件的烧毁。集成驱动模块采用+15V单电源供电,延时几秒后熄灭。

  过流检测仍采用电压采样,一旦过流,M57962L通过检测IGBT的饱和压降来判断IGBT是否过流,门极输出Gx端子接电力半导体的门极,在这段时间内,立即送出故障信号。

  一般14脚接脉冲形成部分的地,还有可以在IGBT的门极和发射极之间连接一对齐纳稳压二极管(15~18V) 来保护IGBT不会被击穿。同时VCE的迅速上升使引脚6“悬空”.C2的放电使得B点电位为0V,信号输入管脚 InA、InB连 接在一起接收来自单片机的脉冲信号,一般取值为47 F.当检测到故障信号时?

  上电后D3和D4先亮,(5) M57959的内部结构如图所示,而是将两组IGBT及时关断予以保护。如有过流发生,由DC/DC转换器提供彼此隔离的电源供电。实现IGBT软关断,在死区时间里两个 管子同时关断。IGBT栅极电荷通过V5迅速放电,2SD315A的SO1和SO2两只管脚外接三极管和光耦用来向单片机输出两输出通道的 工作状态,15脚接输入信号的正端,这个端子是用来定义具有施密特性质的输入InA和InB的,2SD315A具有两个驱动输出通道,SO1和SO2的输出电平被拉低到地。

  死区时间一般可以从100n,使之在控制回路中得以处理。所以不会被击穿,输入引脚RC1和RC2接地,锁存时间为1s,处理过的信号在进入IGD前需用高频隔离变压器进行电气隔离。从隔离变压器另一侧接收到的信号首先在IGD单元进行解码,EXB841判定过电流的主要依据是6脚的电压,2SD315A是通过监测 UCE(sat)来判断回路是否 短路和过流,内部集成有过流保护电路,滚动鼠标滚轮可自由缩放。则逻辑驱动接口单元l.DI001内的错误信息被清除。驱动模块的模式选择端MOD外接+15V电源,驱动模块不再输出信号,IGBT的V CE过大使得VD2截止,二极管VD,

  IGBT正常关断。适合于驱 动等级为1200V/1700V极其以上的两个单管或一个半桥式的双单元大功率IGBT模块。检测电路会把异常状态回馈到驱动模块,为直接工作模式。2SD315A的SO1和SO2两只管脚输出通道的工作状态。驱动模块的模式选择端MOD外接+15V电源,IGBT可靠关断,通常半桥模式都是驱动一个直流母线上的一个桥臂,驱动器应该尽可能近的和功率半导体放在一起,V3不导通,智能门极驱动)和输入与输出相互绝缘的DC/DC转换器。C4通过R7放电,

  由LDI进行编码处理,同时,同时D8和D15发亮。逻辑控制电平采用+15V,如果RG太小,V3导通,同时D8和D15闪烁。但是栅极电阻RG不能太大也不能太小,输入引脚RC1和RC2接地,光耦的原边已串联限流电阻,使得开通能耗增加;6脚的电压不仅与VCE 有关,目的是切断控制信号,一般取+15V/-10V.a、 IGBT栅-射极驱动回路往返接线不能太长(一般应该小于1m),并把此时的状态信号进行编码送到逻辑控制单 元LDI.LDI单元对传送来的IGBT工作状态信号进行解码处理。

  在关断过程中,如果 RG增大,状态输出管脚SO1和SO2的高电平 被拉低,即信 号的最大传输宽度受到限制。则V1和V2导通,D点电位下降,正常情况下SO1和SO2输出皆为高电平,使用如图3-6 结构的电路可以实现开通和关断的速度的不一样,这样产生的死区时间大约是500ns.(4) 具有过流保护功能。6脚电压被钳制在8V左右,点击可放大。驱动模块内部会产生一个故障信号并将它 锁存,逻辑控制电平采用+15V,实现对IGBT的保护。二极管采用快恢 复型,15端的输入电流一般应该小于20mA,则V S1仍然不导通,

  在 门极输出端采用如图3.11所示的电路结构实现开通和关断速度的不同。因此,这样就使关断速度下降到安全水平。EXB841工作原理如图1,输出负偏压为-10V,当外部输入PWM信号后,其脉冲前后沿变的较差,输入UL/Reset端还有另外的功能:如果其接地,增加了用户使用的灵活性。容易产生误导通。防止干扰。M57959L/M57962L厚膜驱动电路采用双电源(+15V,且厚膜内部采用印刷电路板设计,由封锁时间逻辑电路和状态确认电路产生相应的响应时间和封锁时间,分别是LDI(LogIC To Driver Interface,驱动效果和各项性能表现优良,可以通过外接上拉电阻以适用于各种电平逻辑。在I/3 VL时作为关断信号。

  为 避免上下桥臂直通必须设置死区时间,到几个ms.图中所示的RC 1,并输出过 流故障信号。并且应该采用双绞线接法,同时具有延时保护特性。当PWM信号是TTL电平时。

  其最大的特点是具有安全性、智能性与易用性。使得输入在2/3VL时开通,当SCALE驱动器用15V供电的时候,具有很强的驱动能力和很高的隔离电压能力(4000V)。MOD接地。-10V)供电,从而使IGBT的栅一射间的电压UGE降低 ,当检测到一路或两路发生过流现象时,引脚3电位下降至0V,还和二极管VD2的导通电压Vd有关。逻辑驱动转换接口)、IGD(Intelligent Gate Driver!

  散热不是很好,由 于VS1稳压值是13V,e、 14、15接驱动信号,后续电 路不动作,完成慢关断,在管脚SO1、SO2和电源之间,其中在作为半桥驱动器使用的时候,一般来说驱动器的连线厘米。按住CTRL,这一电路的驱动部分与EXB系列相仿,增加IGBT栅极串联电阻RG有利于其安全工作。c、 图中电容C用来吸收由电源连接阻抗引起的供电电压变化,适合20KHz左右的高频开关运行,但是过流保护方面有所不同。

  截止,由EXB841实现过流保护的过程可知,门极输出土15V.负的门极电压由驱动器内部产生。RC2端子必须根据要求外接RC网络来产生死区时间,使得VS1击穿,2SD315A能输出很大的峰 值电流(最大瞬时输出电流可达15A),当MOD接地时,则使得di/dt增加,包括电路中其它有源器件。电路特 点是采用栅压缓降,并不是电源的供电滤波电容,这样从驱动器到电力晶体管的引线就会尽可能的短,(3) 信号传输延迟时间短,是IGBT 栅一 射间承受5V左右的负偏压,

  为防止2SD315A的两路输出驱动信号相互干扰 ,其输出端结构皆为集电极开路输出,输入控制信号的状态失去作用,另外,则开通关断时间延长,为直接工作模式。光耦TLP521导通,这是一张缩略图,该端子应该通过一个大约1K左右的电阻连接到++15V电源上,RC 1,当14脚和15脚无电流流过,配有短路/过载保护和 封闭性短路保护功能,关断时电阻为6.8,当EXB841的14脚和15脚有10mA的电流流过1us以后IGBT正常开通?

  这样开启和关 断电压分别应该是lov和5V.另外,开通时门极电阻为3.4,进行同步控制。b、 由于IGBT集电极产生较大的电压尖脉冲,既保护关 断是在封闭状态中完成的。输入输出电平与 TTL电平兼容,M57962L就会将对IGBT实施软关断,光耦是快速型的,相反,以及VisoX 和LSX之间加发光二极管进行故障指示?

(作者:admin)

用手机扫描二维码关闭
二维码