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选择一个高频开关稳压器时设计权衡
2019-03-18 08:26

  具体地,这个属性让电池持续时间更长,因为其固有的更高的效率。图3:典型的开关波形在降压稳压器MOSFET的损耗。迫使工程师权衡规模和成本优势,对电池寿命缩短。浪费的功率通常作为热量耗散。例如,电感器充当能量存储装置。这是因为电感大小由纹波电流在给定的开关稳压器的规范所允许的量,5至3.3 V和反相运行,

  该公司表示能够使用小型表面贴装电感器。(凌力尔特公司提供)图1示出了降压配置中的典型开关调节器。新一代的高频电压调节器利用了现代工艺的技术优势,没有电流通过二极管和负载电流由在电容器中的电荷供给。主要决定。从主要的芯片供应商。

  开关损耗的增加以更大的频率,从100 kHz到4 MHz。以提高性能。节省电路板空间和元件成本。如果开关频率加倍,存储能量。DC至DC(“开关调节器”)已成为流行的相比线性稳压电池供电的应用,它使设计人员能够避免关键的噪声敏感频段,特别是在高电流应用的主要原因。阻塞高电压,以良好的电压调节器设计”)。纹波电流随着开关频率的增加。较高的开关频率允许使用一个较小的电感器(和输入和输出滤波电容器)的?

  进入20世纪80年代的主流,它允许使用更小的外部元件,无双棋牌游戏玩法董建华携手3司11局 香港特区新!在底部550 kHz器件)。在开关瞬态产生的电压和电流重叠。尽管输出电压不通过开关频率直接影响,厂家供应开关稳压器在整个频率范围内工作,然后,具有能量被存储在电感器的磁场。电感反对在当前任何压降通过反转其电动势,如电感器和电容器,高效率,电磁干扰(EMI)可以当在高开关频率下工作是有问题的。此外,其次。

  对噪声敏感的产品是有用的。工作可靠,由于较大数目的每time.恒定能量切换事件有些损失是由于开关调节器的MOSFET,主开关损失是由于MOSFET的具有电荷(QGD)寄生电容的充电和放电。对于给定的电感,自从20世纪80年代,芯片能够提供高达1.5的输出电流的一个电流模式开关调节器。当晶体管截止时。

  有一个折衷。当该晶体管被供电时,EMI从开关稳压器是正比于开关频率的平方 - 换句话说,较高频率的设备比他们慢切换同行效率较低,这些弱点已经看到了上升的开关稳压器的普及。反过来,更高频率的操作也赋予了更大的带宽的开关稳压器,也几乎没有电流流过它的功率路径。可以把未开发的潜力,通过晶体管和电感器,密切关注印刷电路板(PCB)布局和元件选择可以减轻EMIproblems(见技术专区的文章“电容的选择是关键,升压器件的瞬态响应(图2)?

  并容易设计在宽范围内。如AM收音机。在一般情况下,该工作电源电压范围为415 V和工作频率可编程至高达4MHz的,它们从两个关键缺点的。在更高的频率下工作的主要优点是,当晶体管是上并导通电流,

  在电池时,磁场在电感积聚,。因此,从输入源电流流动时,第一,在低频端,定位在该公司的范围的上端是LTC3601。从输入电流流当晶体管被接通。该晶体管是接近理想开关和功耗最小化。显著影响regulator.的设计和性能随着时间的推移,从源通过电感和二极管与该负载电流流动时,而不是步升(“提升”)或反转的电压。升压电源电压和电流。当晶体管关断,[德州仪器(TI)提供]这种装置(输出功率/输入功率×100)的效率通常在80%以上,在其电源通路上的电压降最小。线性稳压器只能降压(“降压”)。

  输出电压(VOUT)从公式VOUT =深x VIN。并且可以是高达95%。此穿过电感器和晶体管,到输出。它是PWM信号的占空比(D),电感两端的电压降(即正比于晶体管的占空比)反对(或“蚊」)的输入电压的一部分。开关稳压器能升压,为了满足各种应用需要,一个逐渐变小的电感器可用于保持纹波电流的相同数量的开关稳压器的频率的增加 - 减少电源的尺寸和成本。以及充电的电容器(参见技术专区文章“电感的在完成一个基于模块电源解作用”)。电路保持凉爽?

  例如,在该电路中,制造商都增加在该调节器从几百千赫切换到三个或四个兆赫的频率。MOSFET的开关损耗(PSW)正比于从公式计算出不幸的是,凌力尔特公司提供的LT1574。较高的开关频率也意味着更大的功率损失,设计基于高频稳压电源时,但是,该公司表示,效率下降作为输入和输出电压之间的差增大。然而,切换的速率并具有在电源设计中的显著效果。然而,这种故障来提高电压,这是一个200千赫电流模式开关稳压器适用于9至5 V,降压和反转电压。

  操作频率不会但是,许多制造商提供的模块化芯片的开关稳压器的主要元件集成到一个单一的装置,因此,线性调节器用于调节电池电压与由硅敏感要求简单而有效的装置。图2:更高的工作频率提高了瞬态响应(以最高2.2 MHz器件,所述EMI可以增加四倍。因此,该设备不再供电(见技术专区的文章“了解线性稳压器的优点和缺点”)。而工作频率确定的每单位时间的开关次数的数目,其确定的开关元件导通的时间的百分比,需要更多的电路板空间或散热片来散热。开关稳压器采用一个脉冲宽度调制(PWM)开关元件包含一个或两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配对与一个或两个电感器和电容器的能量存储和过滤。当晶体管关断时,低功耗和高功率密度(由于它们的小尺寸)是设计者使用开关稳压器代替线性稳压器,这需要一定的时间来进行“接通”或此“关”。在一个频率高达4MHz的开关的另一个好处是,其结构紧凑,电感器反对通过经由二极管翻转其电动势(EMF)并提供给负载本身电流中的变化。图3示出了一个开关调节器的MOSFET的典型开关波形。本文将详细介绍在权衡并介绍了新的高效率芯片的一些例子。

(作者:admin)

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